1.3.3 Обратное включение р-п-перехода
При включении p-n перехода в обратном направлении (рис. 1.8) внешнее обратное напряжение Uобр создает электрическое поле, совпадающее по направлению с диффузионным, что приводит к росту потенциального барьера на величину Uобр и увеличению относительного смещения энергетических диаграмм на q(Uk + Uобр). Это сопровождается увеличением ширины запирающего слоя, которая может быть найдена из соотношения (1.24) подстановкой вместо Uk величины Uk + Uобр.
.
(1.31)
Рисунок 1.8. Обратное включение p-n перехода.
Возрастание потенциального барьера уменьшает диффузионные токи основных носителей (т. е. меньшее их количество преодолеет возросший потенциальный барьер). Для неосновных носителей поле в p-n переходе остается ускоряющим, и поэтому дрейфовый ток, как было показано в п. 1.3.2, не изменится.
Уменьшение диффузионного тока приведет к нарушению условия равновесия, устанавливаемого выражением (1.15). Через переход будет проходить результирующий ток, определяемый в основном током дрейфа неосновных носителей.
Концентрация неосновных носителей
у границ p-n перехода вследствие уменьшения диффузионного перемещения основных
носителей уменьшится до некоторых значений 
и
.
По мере удаления от p-n перехода концентрация неосновных носителей будет возрастать
до равновесной. Значение концентрации неосновных носителей заряда на любом
удалении x от границ p-n перехода можно рассчитать по следующим формулам,
полученным при решении уравнения непрерывности для обратного, включения p-n
перехода:
;
(1.32)
.
(1.33)